Aufbauend auf den Grundlagen der Festkörperelektronik werden zunächst MOS-Kondensatoren und Ladungsgekoppelte Bauelemente (CCD) behandelt. Im Anschluss daran werden die Grundlagen von
- Feldeffekttransistoren (MOSFET, Sperrschicht-FET (MESFET, JFET) und Heterostruktur-FET (HFET)) sowie
- bipolaren Bauelementen (pn-Dioden, npn- bzw. pnp-Transistoren, und spezielle Bauteile wie Tunnel- und Zenerdioden)
erarbeitet und die DC-Eigenschaften dieser Bauelemente hergeleitet.
ab dem 12.10.23 immer Donnerstag, 15:00 Uhr - 18:00 Uhr
Ort: BA 026
Das Zugangspasswort erhalten Sie in der ersten Veranstaltung
- Lehrende(r): Jonathan Abts
- Lehrende(r): Robin Kreß
- Lehrende(r): Christian Preuß
- Lehrende(r): Nils Weimann